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BSS138N H6327

Name: Infineon BSS138N H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS138NH6327
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BSS138NH6327

Herst.- Nr.:

BSS138N H6327

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Datenblatt:

BSS138N H6327 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,292	€ 0,29
	€ 0,202	€ 2,02
	€ 0,128	€ 12,80
	€ 0,079	€ 39,50
	€ 0,058	€ 58,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,045	€ 135,00
	€ 0,04	€ 240,00
	€ 0,039	€ 351,00
	€ 0,035	€ 840,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

SP000919330

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,29

Min:

Herst. Teilenr.:

BSS138NH6327XTSA2

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,23

Min:

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Herst.:

Infineon Technologies

Herst.- Nr.:

BSS138NH6327XTSA2

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	230 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	360 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	8.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	100 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	BSS138
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	6.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.3 ns
Artikel # Aliases:	BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Printable assembly instructions are available on this part page on 
Mouser.com

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information.

5-0222-5

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Datenblatt

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-Leistungs-MOSFETs

Infineon Kleinsignal-Leistungs-MOSFETs sind in 7 branchenüblichen Gehäusetypen erhältlich, die vom größten SOT-223 bis zum kleinsten SOT-363, das nur 2,1mm x 2mm x 0,9mm misst, reichen. Sie werden als Einzel-, Dual- und ergänzende Konfigurationen angeboten. Sie sind als n-Kanal, p-Kanal oder ergänzend (sowohl p-Kanal als auch n-Kanal im selben Gehäuse) erhältlich, um einer Vielzahl von Konstruktionsanforderungen zu genügen. Typische Anwendungen für diese Geräte umfassen Batterieschutz, LED-Beleuchtung, Niederspannungsantriebe und DC-DC-Wandler. Jeder der Kleinsignal-Leistungs-MOSFETs ist gemäß AEC Q101 für die Automobilindustrie qualifiziert.
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