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AS4C128M32MD2A-25BIN

Name: Alliance Memory AS4C128M32MD2A-25BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C12832MD2A25BIN
Price: 16.92 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-4C12832MD2A25BIN

Herst.- Nr.:

AS4C128M32MD2A-25BIN

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray

Datenblatt:

AS4C128M32MD2A-25BIN Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 15,70	€ 157,00
	€ 15,20	€ 380,00
	€ 14,84	€ 742,00
	€ 14,19	€ 1 419,00
	€ 13,83	€ 2 323,44
	€ 13,34	€ 6 723,36
1 008	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM Mobile - LPDDR2
Speichergröße:	4 Gbit
Datenbus-Weite:	32 bit
Maximale Taktfrequenz:	400 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-134
Organisation:	128 M x 32
Zugangszeit:	5.5 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.14 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	AS4C128M32MD2A-25
Verpackung:	Tray
Marke:	Alliance Memory
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	168
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	130 mA
Gewicht pro Stück:	2,191 g

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Datenblatt

AS4C128M32MD2A-25BIN Datenblatt (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.

Stromsparender DDR2-SDRAM

Alliance stromsparende DDR2-SDRAM-Speicher sind Hochgeschwindigkeits-CMOS- und Dynamic-Access-Speicher, die intern als 8-Bank-Speicher konfiguriert sind. Diese DDR2-SDRAM verfügen über 4-Bit-Prefetch-DDR-Architektur, programmierbare Lese- und Schreib-Latenzen, automatische temperaturkompensierte Selbstauffrischung (TCSR) und Taktstopp-Fähigkeit. Der DDR2-SDRAM reduziert die Anzahl der Eingangspins im System durch Verwendung einer Architektur mit doppelter Datenrate auf dem Befehls-/Adressbus (CA-Bus). Diese CA-Bus dient zur Übertragung von Adress-, Befehls- und Bankdaten. Dieser DDR2-SDRAM kann einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb erreichen, indem eine Architektur mit doppelter Datenrate an den DQ-Pins (bidirektionaler/differenzieller Datenbus) verwendet wird.