SA111PQ

Apex Microtechnology
137-SA111PQ
SA111PQ

Herst.:

Beschreibung:
Intelligente Leistungsmodule – IPMs 650 V, 24 A Silicon Carbide Intelligent Power Module Half-Bridge

Datenblatt:
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Apex Microtechnology
Produktkategorie: Intelligente Leistungsmodule – IPMs
RoHS:  
Marke: Apex Microtechnology
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.: 650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter: 650 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C: 24 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: US
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse: QFP-52
Verpackung: Tray
Pd - Verlustleistung: 56 W
Produkt-Typ: Intelligent Power Modules - IPMs
Serie: SA111
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Technologie: SiC
Typ: Half-Bridge
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Application Notes

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

SA111PQ Siliziumkarbid-Halbbrücken-Leistungsmodul

Apex Microtechnology SA111PQ Silicon Carbide Half-Bridge Power Module is created with Silicon Carbide (SiC) technology. The module features a leading-edge package design to expand thermal efficiency and power density in analog modules. The SA111PQ is housed in a surface-mount package with a body of 20mm x 20mm. It can provide continuous output currents of 32A, manage supply voltages of up to 650V, and achieve switching frequencies of up to 1MHz.

Silicon Carbide (SiC) Integrated Power Modules

Apex Microtechnology Silicon Carbide (SiC) Integrated Power Modules are integrated with a digitally controlled gate drive and feature under-voltage lock-out and active Miller clamping. These power modules operate at up to 650V maximum supply voltage and -55°C to 125°C storage temperature range. The silicon carbide integrated power modules are suitable for DC/AC converters, DC/DC converters, and motor drives.

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