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CDMSJ22013.8-650 SL

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

610-CDMSJ220138650SL

Herst.- Nr.:

CDMSJ22013.8-650 SL

Herst.:

Central Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

Datenblatt:

CDMSJ22013.8-650 SL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Central Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FP-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	280 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	35.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	66 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	13 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	69 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	N-Channel Super Junction Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	171 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	43 ns

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Datenblatt

CDMSJ22013.8-650 SL Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low R_DS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).