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ZXTP2012ASTZ

Name: Diodes Incorporated ZXTP2012ASTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-ZXTP2012ASTZ
Price: 1.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-ZXTP2012ASTZ

Herst.- Nr.:

ZXTP2012ASTZ

Herst.:

Diodes Incorporated

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	3.5 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	60 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	100 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	145 mV
Pd - Verlustleistung:	1 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	120 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	ZXTP20
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diodes Incorporated
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
DC Stromverstärkung hFE max.:	100 at 10 mA, 1 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors