EPC2012C

EPC
65-EPC2012C
EPC2012C

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9

Lebenszyklus:
Neu bei Mouser
Datenblatt:
ECAD Model:
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
€ 1,10 € 2.750,00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-4
N-Channel
1 Channel
200 V
5 A
100 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
1 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 2,800 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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