EPC2221

EPC
65-EPC2221
EPC2221

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

Datenblatt:
ECAD Model:
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EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
BGA
N - Channel
1 Channel
100 V
5 A
58 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
0.85 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Verpackung: Reel
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 2 N-Channel
Gewicht pro Stück: 2,500 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

USHTS:
8541290040

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