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GS8662Q18BGD-357

Name: GSI Technology GS8662Q18BGD-357
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS8662Q18BGD-357
Price: 144.83 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

464-GS8662Q18BGD-357

Herst.- Nr.:

GS8662Q18BGD-357

Herst.:

GSI Technology

Beschreibung:

SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M

Datenblatt:

GS8662Q18BGD-357 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 140,01	€ 4.200,30
	€ 136,02	€ 8.161,20
105	Kostenvoranschlag

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Hersteller:	GSI Technology
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	72 Mbit
Organisation:	4 M x 18
Maximale Taktfrequenz:	357 MHz
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	1.9 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	985 mA
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	BGA-165
Verpackung:	Tray
Marke:	GSI Technology
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Speichertyp:	DDR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	GS8662Q18BGD
Verpackung ab Werk:	15
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	SigmaQuad-II
Typ:	SigmaQuad-II

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Datenblatt

GS8662Q18BGD-357 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.b

SigmaQuad-II SRAMs

GSI Technology SigmaQuad-II SRAMs feature built-in compliance with the SigmaQuad-II SRAM pinout standard for Separate I/O synchronous SRAMs. The SigmaQuad-II are 301,989,888-bit (288Mb) SRAMs. The GS82582D18/36GE SigmaQuad SRAMs are just one element in a family of low power, low voltage HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to implement economical high performance networking systems.

Quad SRAMs

GSI Technology Quad SRAMs combine capacity and performance with the ability to transfer four beats of data (two beats per data bus) in a single clock cycle. SigmaQuad SRAMs are synchronous memories with separate read and write data buses with unequaled transaction rates by competitors.