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IS67WVH16M8DBLL-166B1LA2

Name: ISSI IS67WVH16M8DBLL-166B1LA2
Brand: ISSI
SKU: 870-16M8DBLL166B1LA2
Price: 6.87 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-16M8DBLL166B1LA2

Herst.- Nr.:

IS67WVH16M8DBLL-166B1LA2

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IS67WVH16M8DBLL-166B1LA2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 6,20	€ 155,00
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	128 Mb
Organisation:	16 M x 8
Zugangszeit:	35 ns
Maximale Taktfrequenz:	166 MHz
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 105 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TFBGA-24
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Übertragungsgeschwindigkeit:	400 MB/s
Speichertyp:	PSRAM
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	Pseudo Static Random Access Memory

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Datenblatt

IS67WVH16M8DBLL-166B1LA2 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

IS67WVH/IS67WVO Memory Devices

ISSI IS67WVH/IS67WVO Memory Devices contain 64Mb/128Mb Pseudo Static Random Access (PSRAM) memory using a self-refresh DRAM array organized as 8M/16M words by 8bits. These memory devices offer up to 400MB/s of high-performance. The IS67WVH HyperRAM™ devices support a HyperBus interface, very low signal count (address, command, and data through 8 DQ pins), and hidden refresh operation. These integrated memory devices feature sequential burst transactions, Read-Write Data Strobe (RWDS), and Double Data Rate (DDR). The IS67WVO memory devices support an Octal Peripheral Interface (OPI) (address, command, and data through 8 SIO pins), very low signal count, and hidden refresh operation. These memory devices are ideal for automotive applications.