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IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR

Name: ISSI IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-2M8DBLL200BLA2TR
Price: 9.06 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

870-2M8DBLL200BLA2TR

Herst.- Nr.:

IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR

Herst.:

ISSI

Beschreibung:

SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ISSI
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	256 Mb
Organisation:	32 M x 8
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Schnittstellen-Typ:	OPI
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	30 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 105 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TFBGA-24
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ISSI
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Übertragungsgeschwindigkeit:	400 MB/s
Speichertyp:	PSRAM
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	OctalRAM

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Datenblatt

IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8542324500
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

IS67WVH/IS67WVO Memory Devices

ISSI IS67WVH/IS67WVO Memory Devices contain 64Mb/128Mb Pseudo Static Random Access (PSRAM) memory using a self-refresh DRAM array organized as 8M/16M words by 8bits. These memory devices offer up to 400MB/s of high-performance. The IS67WVH HyperRAM™ devices support a HyperBus interface, very low signal count (address, command, and data through 8 DQ pins), and hidden refresh operation. These integrated memory devices feature sequential burst transactions, Read-Write Data Strobe (RWDS), and Double Data Rate (DDR). The IS67WVO memory devices support an Octal Peripheral Interface (OPI) (address, command, and data through 8 SIO pins), very low signal count, and hidden refresh operation. These memory devices are ideal for automotive applications.