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LF2388BTR

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-LF2388BTR

Herst.- Nr.:

LF2388BTR

Herst.:

IXYS Integrated Circuits

Beschreibung:

Gate Drivers 3-Phase Half-Bridge DRVR 270mA SOIC-20

Datenblatt:

LF2388BTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Gate-Treiber
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	3-Phase / Three Phase
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-20
Anzahl der Treiber:	3 Driver
Anzahl der Ausgänge:	6 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	45 ns
Abfallzeit:	25 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	IXYS Integrated Circuits
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Logiktyp:	CMOS, TTL
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	500 uA
Pd - Verlustleistung:	1.47 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	50 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LF2388BTR Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs

Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS umfassen Hochspannungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit und dreiphasige Gate-Treiber-ICs. Diese Bauteile sind für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration oder High-Side/Low-Side-Konfiguration ausgelegt. Die Hochspannungstechnologie ermöglicht es, die Hochspannungsseite im Bootstrap-Betrieb auf 600 V zu schalten. Die Treiber bieten Puffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querströme ausgelegt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören Logikschaltungen mit 3,3-V-Fähigkeit, Schmitt-getriggerte Logikeingänge und UVLO-Schutz (Unterspannungssperre). Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS arbeiten über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.