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IXFN82N60Q3

Name: IXYS IXFN82N60Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN82N60Q3
Price: 50.49 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN82N60Q3

Herst.- Nr.:

IXFN82N60Q3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A

Datenblatt:

IXFN82N60Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	66 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	75 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Pd - Verlustleistung:	960 W
Serie:	IXFN82N60
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	300 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN82N60Q3 Datenblatt

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der Q3-Klasse

IXYS Q3-Klasse HiperFET™ Leistungs-MOSFETs bieten dem Endverbraucher ein großes Angebot von Bauteilen, die eine außergewöhnliche Stromschaltleistung aufweisen. Sie bieten außerdem hervorragende thermische Eigenschaften, eine verbesserte Robustheit der Bauteile und eine hohe Energieeffizienz. Diese MOSFETs sind mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V bis 1.000 V und einem Drainstrom von 10 A bis 100 A erhältlich. Diese Eigenschaften machen die Q3-Klasse zu einer optimierten Kombination aus niedrigem Einschaltwiderstand (R_dson) und einer Gate-Ladung (Q_g), wodurch die Leitungs- und Schaltverluste des Bauteils erheblich reduziert werden. Durch die Verwendung des HiperFET-Prozesses werden die Stromschaltfunktionen und die Robustheit der Bauteile weiter verbessert. Dieser Prozess führt zu einem Bauteil mit einem schnellen intrinsischen Gleichrichter, der für eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr) sorgt und gleichzeitig die dv/dt-Werte des Bauteils verbessert (bis zu 50 V/ns).