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IXFX40N90P

Name: IXYS IXFX40N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX40N90P
Price: 23.76 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFX40N90P

Herst.- Nr.:

IXFX40N90P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Polar HiperFET Power MOSFET

Datenblatt:

IXFX40N90P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Serie:	IXFX40N90
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kanalmodus:	Enhancement
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	46 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Montageart:	Through Hole
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Pd - Verlustleistung:	960 W
Produkt-Typ:	MOSFETs
Qg - Gate-Ladung:	230 nC
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	210 mOhms
Anstiegszeit:	50 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	Si
Handelsname:	HiPerFET
Transistorpolung:	N-Channel
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	77 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	53 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	900 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6.5 V
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXFX40N90P Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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