IXTH1N300P3HV

Name: IXYS IXTH1N300P3HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH1N300P3HV
Price: 30.07 EUR
Availability: InStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH1N300P3HV

Herst.- Nr.:

IXTH1N300P3HV

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	3 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	30.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	195 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	60 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	78 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	6 g