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IXTK8N150L

Name: IXYS IXTK8N150L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTK8N150L
Price: 39.58 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTK8N150L

Herst.- Nr.:

IXTK8N150L

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 8 Amps 1500V

Datenblatt:

IXTK8N150L Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.5 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.6 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	8 V
Qg - Gate-Ladung:	250 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	700 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	95 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Serie:	IXTK8N150
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	36 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

IXTK8N150L Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.