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IXTP01N100D

Name: IXYS IXTP01N100D
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP01N100D
Price: 7.03 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP01N100D

Herst.- Nr.:

IXTP01N100D

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds

Datenblatt:

IXTP01N100D Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	400 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	5.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	25 W
Kanalmodus:	Depletion
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	64 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	100 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	IXTP01N100
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXTP01N100D Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Standardmäßige n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

IXYS Standard-Baureihe 500-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-MOSFETs, die eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten erfordern. Die Module bleiben in oder über der Gate-Nullvorspannung, weisen aber sonst ähnliche Eigenschaften wie MOSFETs auf. Die Baureihe eignet sich hervorragend für die Pegelverschiebung, Solid State Relais, Stromregler und aktive Lasten.