IXTT16N50D2

IXYS
747-IXTT16N50D2
IXTT16N50D2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
16 A
300 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
199 nC
- 55 C
+ 150 C
695 W
Depletion
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 220 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 7 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 173 ns
Serie: IXTT16N50
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 203 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 50 ns
Gewicht pro Stück: 6,500 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

D2-Baureihe n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

Die IXYS D2-Baureihe 100-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-Bauteile, die in einem „Normalerweise Eingeschaltet“-Modus betrieben werden und am Gate-Anschluss keine Spannung zum Einschalten erfordern. Die Baureihe bietet Sperrspannungen von bis zu 1.700 V und niedrige Drain-zu-Quelle-Widerstände für eine einfachere Steuerung und eine geringere Verlustleistung in ununterbrochen eingeschalteten Systemen (z. B. in Notfall- oder Einbruchmeldeanlagen).