Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

AIMZA75R033M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R033M2HXK
Price: 11.01 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-AIMZA75R033M2HXK

Herst.- Nr.:

AIMZA75R033M2HXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

AIMZA75R033M2HXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies AIMZA75R033M2HXKSA1

Auf Lager: 25

Lagerbestand:: 25 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 8 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 11,01	€ 11,01
	€ 8,62	€ 86,20
	€ 7,18	€ 718,00
	€ 6,40	€ 3 200,00
	€ 5,97	€ 5 970,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	PG-TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	47 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	37 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	164 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	Power MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	8 ns
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	CoolSiC Automotive Power Device
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Artikel # Aliases:	AIMZA75R033M2H SP006113276

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

AIMZA75R033M2HXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

Die™ Fahrzeug 750 V MOSFETs von Infineon Technologies sind so konstruiert, dass sie den strengen Anforderungen von Applikationen in Elektrofahrzeugen (EV) wie Umrichter, Onboard- Ladegeräten (OBC) und Hochspannungs -DC/DC- Wandlern gerecht werden. Diese MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) bieten einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und ein hervorragendes Betriebsverhalten, was die Entwicklung von E-Mobilitätssystemen der nächsten Generation ermöglicht. Mit einer Nennspannung von 750 V und der Technologie der zweiten Generation CoolSiC™ bieten diese Bauteile ein verbessertes Schaltverhalten und geringere Verluste im Vergleich zu Siliziumlösungen. Das Portfolio umfasst einen Bereich von RDS_(on)-Werten von 9 mΩ bis 78 mΩ und bietet Designern somit Flexibilität bei der Optimierung von Leitungs- und Betriebsverhalten.