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BSG0811NDATMA1

Name: Infineon BSG0811NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSG0811NDATMA1
Price: 2.68 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BSG0811NDATMA1

Herst.- Nr.:

BSG0811NDATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET 15V-30V

Datenblatt:

BSG0811NDATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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€ -,--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,68	€ 2,68
	€ 1,67	€ 16,70
	€ 1,22	€ 122,00
	€ 0,989	€ 494,50
	€ 0,92	€ 920,00
	€ 0,886	€ 2 215,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,855	€ 4 275,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

BSG0811ND

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 2,56

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TISON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A, 50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	5.6 nC, 20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.5 W, 6.25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	1.4 ns, 2.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	46 S, 90 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.3 ns, 4.7 ns
Serie:	OptiMOS 5
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	4.3 ns, 8.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.3 ns, 5.6 ns
Artikel # Aliases:	BSG0811ND SP001075902
Gewicht pro Stück:	112,200 mg

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Packaging:PG-TISON-8-4 | BSG0811NDATMA1 (PDF)

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Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 25V N-Channel (Zip)

Technical Resources

Article Improving Power Density and Efficiency in Servers and Telecom PSD (PDF)

Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

USB-C-Ladegeräte und -Adapter

Infineon Technologies bietet maßgeschneiderte Halbleiter, welche die Prioritäten der Kunden berücksichtigen — Preis/Leistung vs. (extrem) hohe Leistungsdichte. Das Portfolio umfasst die gesamte USB-C™ -Quellen-Produktkette, die von HV-/LV-Leistungsschaltern bis zu PWM-Controllern, USB-C-Controllern für die Stromversorgung sowie ESD-Schutzbauteilen reicht.