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IAUCN04S7N010GATMA1

Name: Infineon IAUCN04S7N010GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN04S7N010GAT
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IAUCN04S7N010GAT

Herst.- Nr.:

IAUCN04S7N010GATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IAUCN04S7N010GATMA1 Datenblatt (PDF)

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	€ 1,16	€ 11,60
	€ 0,80	€ 80,00
	€ 0,678	€ 339,00
	€ 0,576	€ 576,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,538	€ 2 690,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-THSOG-4-1
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	252 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.04 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	59 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	123 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	29 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	23 ns
Serie:	OptiMOS 7
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Artikel # Aliases:	IAUCN04S7N010G SP005984384

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Datenblatt

IAUCN04S7N010GATMA1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40-V-Automotive-Leistungs-MOSFETs sind Hochstrom-MOSFETs mit niedrigem R_DS(on) und optimiertem Schaltverhalten. Diese N-Kanal- Fahrzeug MOSFETs bieten Hochleistungsdichte, geringe Leitungsverluste und Hochstromdichte. Die OptiMOS™ 7 MOSFETs sind in einem fortschrittlichen unbedrahteten 3 mm x 3 mm Gehäuse mit Cu-Clip für einen niedrigen Gehäuse-Ron und eine minimale Streuinduktivität verfügbar. Diese MOSFETs sind 100 % Avalanche-getestet und RoHs-konform. Die OptiMOS™ 7 MOSFETs eignen sich hervorragend für Applikationen, wie z. B. Leistungsverteilung, Fensterheber, Powersitz, EPS mit hoher Redundanz und Karosseriesteuerungsmodule.