Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IMBG75R060M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG75R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG75R060M2HXTM
Price: 6.25 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMBG75R060M2HXTM

Herst.- Nr.:

IMBG75R060M2HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IMBG75R060M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IMBG75R060M2HXTMA1

Auf Lager: 134

Lagerbestand:: 134 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 8 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 6,25	€ 6,25
	€ 4,67	€ 46,70
	€ 3,78	€ 378,00
	€ 3,38	€ 1 690,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 2,97	€ 2 970,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	78 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	116 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	5 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CoolSiC G2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	IMBG75R060M2H SP006098927

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IMBG75R060M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die CoolSiC™ 750 V G2 Siliciumcarbid-MOSFETs von Infineon Technologies sind so konzipiert, dass sie einen hohen Wirkungsgrad, Robustheit gegen parasitäres Einschalten für unipolare Gate-Ansteuerung und Zuverlässigkeit bieten. Diese MOSFETs bieten ein überlegenes Betriebsverhalten in Totem-Pole-, ANPC-, Vienna-Gleichrichter- und FCC-Hartschalt-Topologien. Die Reduzierung der Ausgangskapazität (Coss) ermöglicht es den MOSFETs, in den Cycloconverter-, CLLC-, DAB- und LLC-Soft-Switching-Topologien bei höheren Schaltfrequenzen zu arbeiten. Die CoolSiC™ 750 V G2 MOSFETs zeichnen sich durch einen maximalen Drain-Source-Einschaltwiderstand von bis zu 78 mΩ sowie durch geringe Schaltverluste dank verbesserter Gate-Steuerung aus. Diese MOSFETs sind sowohl fahrzeug- als auch industrietauglich. Typische Applikationen umfassen Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Telekommunikation, Leistungsschalter, Halbleiterrelais, Solar-Wechselrichter und HV-LV DC/DC-Wandler.