Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IPDD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPDD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPDD60R180CM8XTM
Price: 2.61 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPDD60R180CM8XTM

Herst.- Nr.:

IPDD60R180CM8XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

IPDD60R180CM8XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IPDD60R180CM8XTMA1

Auf Lager: 1 615

Lagerbestand:: 1 615

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 1 689
Lieferzeit ab Hersteller:: 24

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 2,61	€ 2,61
	€ 1,69	€ 16,90
	€ 1,16	€ 116,00
	€ 0,937	€ 468,50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1700)
	€ 0,781	€ 1 327,70

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HDSOP-10
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.7 V
Qg - Gate-Ladung:	17 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	169 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	12.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	600V CM8
Verpackung ab Werk:	1700
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	88.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17.2 ns
Artikel # Aliases:	IPDD60R180CM8 SP005578049

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IPDD60R180CM8XTMA1 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs sind Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologielösungen. Der CoolMOS 8 von Infineon Technologies verfügt über eine integrierte schnelle Bodydiode und eignet sich hervorragend für verschiedene Applikationen. Der CoolMOS 8 erweitert das Breitbandlücken-Portfolio (WBG) des Infineon als Nachfolger der 600 V CoolMOS 7 MOSFET-Produktfamilie.