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IPLT60R055CM8XTMA1

Name: Infineon IPLT60R055CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPLT60R055CM8XTM
Price: 5.55 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPLT60R055CM8XTM

Herst.- Nr.:

IPLT60R055CM8XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IPLT60R055CM8XTMA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-HDSOP-16
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	48 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	55 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.7 V
Qg - Gate-Ladung:	51 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	278 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	98 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Artikel # Aliases:	IPLT60R055CM8 SP006162000

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Datenblatt

IPLT60R055CM8XTMA1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8-SJ-MOSFETs sind Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologielösungen. Der CoolMOS 8 von Infineon Technologies verfügt über eine integrierte schnelle Bodydiode und eignet sich hervorragend für verschiedene Applikationen. Der CoolMOS 8 erweitert das Breitbandlücken-Portfolio (WBG) des Infineon als Nachfolger der 600 V CoolMOS 7 MOSFET-Produktfamilie.