IPP60R385CP

Infineon Technologies
726-IPP60R385CP
IPP60R385CP

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

Lebenszyklus:
NRND:
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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
350 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: CoolMOS CE
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
Artikel # Aliases: IPP6R385CPXK SP000082281 IPP60R385CPXKSA1
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs

Die CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs von Infineon sind eine nach dem Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) entwickelte Technologieplattform aus Hochspannungs-MOSFETs. Das Portfolio umfasst CoolMOS™ CEs mit 500 V, 600 V, 650 V, 700 V, und 800 V, die für den Einsatz in Ladegeräten mit geringem Stromverbrauch für Mobilgeräte, Elektrowerkzeuge, Adapter für Notebooks und Laptops, LCD- und LED-Fernseher und LED-Leuchten gedacht sind. Diese neue Baureihe von CoolMOS™ ist kostenoptimiert, um die typischen Anforderungen in Anwendungen für Endverbraucher ohne Kompromisse bei der bewährten CoolMOS ™ Qualität und Zuverlässigkeit zu erfüllen, und gleichzeitig immer noch preislich attraktiv zu bleiben.
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