IR2128SPBF
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Beschreibung:
Gate-Treiber 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT
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Preis (EUR)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| € 2,33 | € 2,33 | |
| € 1,74 | € 17,40 | |
| € 1,43 | € 35,75 | |
| € 1,37 | € 137,00 | |
| € 1,33 | € 332,50 | |
| € 1,29 | € 645,00 | |
| € 1,17 | € 1.170,00 | |
| € 1,08 | € 2.700,00 |
Alternativverpackung
Datenblatt
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS212(7,8,71) and IR212(7,8,71) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
- Using the Current Sensing IR212x Gate Driver ICs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Österreich
