ISC016N08NM8SCATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8SCAT
Price: 5.54 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC016N08NM8SCAT

Herst.- Nr.:

ISC016N08NM8SCATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

ISC016N08NM8SCATMA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-WSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	269 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.54 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	76 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	263 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	7.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	55 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.1 ns
Serie:	OptiMOS 8
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Artikel # Aliases:	ISC016N08NM8SC SP006195339