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ISC034N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC034N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC034N08NM7ATMA
Price: 2.19 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC034N08NM7ATMA

Herst.- Nr.:

ISC034N08NM7ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

ISC034N08NM7ATMA1 Datenblatt (PDF)

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	€ 1,40	€ 14,00
	€ 0,955	€ 95,50
	€ 0,796	€ 398,00
	€ 0,737	€ 737,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,689	€ 3 445,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	122 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.2 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	115 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	3.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.5 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.6 ns
Artikel # Aliases:	ISC034N08NM7 SP006167256

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Datenblatt

ISC034N08NM7ATMA1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind leistungsstarke N-Kanal Transistoren, die für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs bieten einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, überlegenen thermischen Widerstand und ein ausgezeichnetes Miller-Verhältnis für dv/dt-Robustheit. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 sind für Hard-Switching- und Soft-Switching-Topologien sowie für FOM_oss optimiert. Diese MOSFETs sind zu 100 % durch Avalanche-Tests geprüft und sind RoHs-konform. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 sind gemäß IEC61249‑2‑21 halogenfrei.