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S80KS5122GABHI020

Name: Infineon S80KS5122GABHI020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S5122GABHI020
Price: 8.44 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

727-S5122GABHI020

Herst.- Nr.:

S80KS5122GABHI020

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

DRAM SPCM

Datenblatt:

S80KS5122GABHI020 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	HyperRAM
Speichergröße:	512 Mbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-24
Organisation:	64 M x 8
Zugangszeit:	35 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	338
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	44 mA

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Datenblatt

S80KS5122GABHI020 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320032
ECCN:: 3A991.b.2

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2,0 Speicher

Infineon Technologies S80KS5122 und S80KS5123 HYPERRAM ™ 2,0 Speicher hat eine hohe Geschwindigkeit, einen niedrigen Pin-Count, einen selbst-aktualisierenden Dynamic RAM (DRAM), für hochleistungsfähige eingebettete Systeme, die eine Erweiterung Speicher für Scratchpad- oder Pufferzwecke erfordern. HYPERRAM Produkte unterstützen JEDEC JESD251 Profil konforme HYPERBUS™ und Octal xSPI-Schnittstellen, die auf die Legacy-Funktionen von parallelen und Serielle Schnittstelle zurückgreifen und gleichzeitig die Systemleistung und das einfache Design verbessern, während die Systemkosten gesenkt werden. Die Architektur mit einer niedrigen Pin-Anzahl macht das HYPERRAM besonders geeignet für Applikationen mit einer begrenzten Leistung und Platz auf der Platine, die externes RAMaußerhalb des Chips erfordern.