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CGH40120F

Name: MACOM CGH40120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH40120F
Price: 532.25 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGH40120F

Herst.- Nr.:

CGH40120F

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt

Datenblatt:

CGH40120F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	440193
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Entwicklungs-Kit:	CGH40120F-TB
Verstärkung:	19 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	2.5 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	1 GHz
Ausgangsleistung:	120 W
Verpackung:	Tray
Produkt:	GaN HEMTs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V
Gewicht pro Stück:	30,467 g

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Datenblatt

CGH40120F Datenblatt (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN-HEMTs

Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
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