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GTRB184402FC-V1-R0

MACOM

Mouser-Nr.:

941-GTRB184402FCV1R0

Herst.- Nr.:

GTRB184402FC-V1-R0

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT

Datenblatt:

GTRB184402FC-V1-R0 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
Marke:	MACOM
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-SiC
Transistorart:	GaN HEMT

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Datenblatt

GTRB184402FC-V1-R0 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

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