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GTVA262701FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262701FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262701FAV2R0
Price: 176.66 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-GTVA262701FAV2R0

Herst.- Nr.:

GTVA262701FA-V2-R0

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

Datenblatt:

GTVA262701FA-V2-R0 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 176,66	€ 176,66
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	€ 149,18	€ 7 459,00
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† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	H-87265J-2
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	125 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Maximale Betriebstemperatur:	+ 225 C
Marke:	MACOM
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Verstärkung:	17 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	2.69 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	2.496 GHz
Ausgangsleistung:	270 W
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V

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PCN

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

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