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PXAE263708NB-V1-R0

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R0
Price: 57.22 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-PXAE263708NBV1R0

Herst.- Nr.:

PXAE263708NB-V1-R0

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Datenblatt:

PXAE263708NB-V1-R0 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Herst. Teilenr.:

PXAE263708NB-V1-R2

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Preis:

€ 101,46

Min:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	65 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Betriebsfrequenz:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Verstärkung:	13.5 dB
Ausgangsleistung:	400 W
Maximale Betriebstemperatur:	+ 225 C
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	HB2SOF-8-1
Verpackung:	Reel
Marke:	MACOM
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V to + 10 V

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Datenblatt

PXAE263708NB-V1-R0 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

Die 5G HF-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (JFETs) und seitlich diffuse Metalloxid-Halbleiter- (LDMOS) -FETs von MACOM sind thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die nächste Generation der drahtlosen Übertragung. Diese Bauteile verfügen über eine GaN-on-SiC-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor, HEMT), eine Eingangsanpassung, einen hohen Wirkungsgrad und ein thermisch verbessertes oberflächenmontiertes Gehäuse mit einem ohrlosen Flansch. Die 5-G-HF-JFETs und LDMOS-FETs von MACOM sind ideal für Multi-Standard-Mobilfunk-Leistungsverstärkerapplikationen.