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APT33GF120B2RDQ2G

Name: Microchip APT33GF120B2RDQ2G
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-33GF120B2RDQ2G
Price: 15.3 EUR
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

494-33GF120B2RDQ2G

Herst.- Nr.:

APT33GF120B2RDQ2G

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

IGBTs IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 33 A TO-247 MAX

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Datenblatt:

APT33GF120B2RDQ2G Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Marke:	Microchip Technology
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.5 V
Konfiguration:	Single
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	64 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 30 V, 30 V
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Verpackung:	Tube
Pd - Verlustleistung:	357 W
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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