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IGBT 7 Leistungsmodule

Die Leistungsmodule Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 von Microchip Technology bestehen aus mehreren IGBT-Chips und Freilaufdioden, die in einem einzigen Gehäuse gekapselt sind, wodurch eine kompakte und effiziente Lösung für Applikationen entsteht. Diese Module steuern und wandeln elektrische Energie um und zeichnen sich durch eine erhöhte Leistungsfähigkeit und geringere Leistungsverluste aus. Die lGBT 7 Reihe umfasst eine Vielzahl von Pakettypen und Topologien mit einem Spannungsbereich von 1200 V bis 1700 V und einem Strombereich von 50 A bis 900 A. Diese Leistungsmodule stellen eine Verbesserung gegenüber älteren Generationen dar, da sie niedrigere V_CE(sat) und V_f, eine verbesserte Steuerbarkeit von dv/dt, eine um 50 % höhere Strombelastbarkeit, eine Überlastkapazität bei T_j +175 °C, eine verbesserte Weichheit der Freilaufdiode und eine einfachere Ansteuerung bieten., Diese Funktionen bieten ein differenziertes Wertangebot von Hochleistungsdichte, reduzierte Systemkosten, höheren Wirkungsgrad, Benutzerfreundlichkeit, Haltbarkeit und schnellere Markteinführung.