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MSC035SMA170B4

Name: Microchip MSC035SMA170B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC035SMA170B4
Price: 35.95 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-MSC035SMA170B4

Herst.- Nr.:

MSC035SMA170B4

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4

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Datenblatt:

MSC035SMA170B4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 33,14	€ 994,20
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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.7 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.25 V
Qg - Gate-Ladung:	178 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	370 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	17 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	7 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns

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CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Microsemi/Microchip SiC-Schottky-Dioden (SBD) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium-Leistungsdioden. Die SiC-Barriere-Dioden (Siliziumkarbid, SiC) bestehen aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C). Im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen bieten SiC-Bauelemente eine viel größere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine höhere Bandlücke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Die SiC-Schottky-Dioden verfügen über keine Durchlass- und Sperrverzögerungsladung, wodurch die Dioden-Schaltverluste reduziert werden können. Darüber hinaus bieten die Bauteile eine temperaturunabhängige Schaltung und gewährleisten eine stabile Hochtemperaturleistung.