MSCSM70XM45CTYZBNMG

Microchip Technology
579-SM70XM45CTYZBNMG
MSCSM70XM45CTYZBNMG

Herst.:

Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD

ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: Diskrete Halbleitermodule
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
3-Phase Bridge
SiC
1.5 V
- 10 V, + 23 V
Screw Mount
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
- 55 C
+ 175 C
Marke: Microchip Technology
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Abfallzeit: 20 ns
Id - Drain-Gleichstrom: 52 A
Pd - Verlustleistung: 141 W
Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 44 mOhms
Anstiegszeit: 35 ns
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung: N-Channel and SBD
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 40 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 700 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2.7 V
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ECCN:
EAR99