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MPQ18913GRPE-A-AEC1-P

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

946-MPQ18913GRPEA1P

Herst.- Nr.:

MPQ18913GRPE-A-AEC1-P

Herst.:

Monolithic Power Systems (MPS)

Beschreibung:

Gate Drivers 30V, 0.3A, High-Frequency Transformer Driver for Automotive Applications, AEC-Q100

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MPQ18913GRPE-A-AEC1-P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Monolithic Power Systems (MPS)
Produktkategorie:	Gate-Treiber
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	Full-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-10
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	300 mA
Versorgungsspannung - Min.:	5 V
Versorgungsspannung - Max.:	30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MPQ18913
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Monolithic Power Systems (MPS)
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Entwicklungs-Kit:	EVQ18913-D-01A
Kenndaten und Eigenschaften:	Over Current Protection
Eingangsspannung – Max:	30 V
Eingangsspannung – Min:	5 V
Betriebsversorgungsstrom:	9.5 mA
Pd - Verlustleistung:	2.5 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	SiC

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Datenblatt

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

MPQ18913 High-Frequency Transformer Driver

Monolithic Power Systems (MPS) MPQ18913 High-Frequency Transformer Driver is ideal for use as the primary-side MOSFET in isolated power supplies for biasing silicon carbide (SiC) field-effect transistors (FETs), silicon FETs, and insulated gate bipolar transistors (IGBTs). The MPQ18913 simplifies an isolated biased supply’s design by integrating the control, switching power stage, and protection circuitry in one device. This typology supports designs with a high isolation voltage and small interwinding capacitance.