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PMP4501QASZ

Name: Nexperia PMP4501QASZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMP4501QASZ
Price: 0.48 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMP4501QASZ

Herst.- Nr.:

PMP4501QASZ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SOT1216 45V .1A NPN/NPN BJT

Datenblatt:

PMP4501QASZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,482	€ 0,48
	€ 0,298	€ 2,98
	€ 0,19	€ 19,00
	€ 0,144	€ 72,00
	€ 0,116	€ 116,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,101	€ 505,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1010B-6
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	45 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	50 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	400 mV
Pd - Verlustleistung:	350 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	100 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	200
DC Stromverstärkung hFE max.:	450
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934660012147
Gewicht pro Stück:	1,214 mg

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Datenblatt

PMP4501QASZ Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-03-04 (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN

Der Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN erfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen. Nexperia bietet unbedrahtete AEC-Q101-qualifizierte Gehäuse mit seitenbenetzbaren Flanken. Diese Komponenten sparen Platz, reduzieren das Gewicht und halten eine hohe Leistungsfähigkeit und einen hohen Wirkungsgrad auch bei hohen Temperaturen aufrecht. Für platzkritische Applikationen, wie z. B. Mobilgeräte, Wearables, Automotive-Sensoren und Kameramodule, empfiehlt Nexperia DFN-Gehäuse.