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PJD45N06SA-AU_L2_006A1

Name: Panjit PJD45N06SA-AU_L2_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJD45N06SAAUL26A
Price: 1.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-PJD45N06SAAUL26A

Herst.- Nr.:

PJD45N06SA-AU_L2_006A1

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

PJD45N06SA-AU_L2_006A1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 0,392	€ 392,00
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252AA-2
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	38 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	13.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	16 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	15 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.5 ns
Artikel # Aliases:	PJD45N06SA
Gewicht pro Stück:	321,700 mg

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Datenblatt

PJD45N06SA-AU_L2_006A1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower R_DS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.