71V416L12PHGI

Name: Renesas Electronics 71V416L12PHGI
Brand: Renesas Electronics
SKU: 972-71V416L12PHGI
Price: 10.29 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

972-71V416L12PHGI

Herst.- Nr.:

71V416L12PHGI

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM

Datenblatt:

71V416L12PHGI Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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2 565	Kostenvoranschlag

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	4 Mbit
Organisation:	256 k x 16
Zugangszeit:	12 ns
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsstrom - Max.:	170 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-44
Verpackung:	Tray
Marke:	Renesas Electronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Speichertyp:	SDR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	71V416L12
Verpackung ab Werk:	135
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	Asynchronous
Artikel # Aliases:	IDT71V416L12PHGI 71V416
Gewicht pro Stück:	3 g

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Datenblatt

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Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics asynchrone SRAMs basieren auf der leistungsstarken CMOS-Technologie mit hoher Zuverlässigkeit. Die Technologie und innovative Schaltungsdesign-Techniken bieten eine kostengünstige LÖSUNG für asynchrone Hochgeschwindigkeits-SRAM-Speicheranforderungen. Vollständig statische asynchrone Schaltungen erfordern keine Takte oder Aktualisieren für den Betrieb. Der Renesas liefert einen asynchronen SRAM in einem RoHS-6/6-compliant-Gehäuse (umweltfreundlich) mit Industriestandard-Gehäuseoptionen.