MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
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€ 8,17 € 8,17
€ 6,04 € 60,40
€ 5,67 € 141,75
€ 5,07 € 507,00
€ 4,83 € 1 207,50
€ 4,78 € 2 390,00
€ 4,25 € 4 250,00
€ 4,21 € 10 525,00
4 680 Kostenvoranschlag

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marke: STMicroelectronics
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Kenndaten und Eigenschaften: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Eingangsspannung – Max: 15 V
Eingangsspannung – Min: 3.3 V
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 225 mOhms
Verpackung ab Werk: 1560
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Gewicht pro Stück: 150 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber

Die MASTERGAN GaN-Halbbrücken-Hochspannungstreiber von STMicroelectronics implementieren eine Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte durch die Integration sowohl eines Gate-Treibers als auch zweier GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in einer Halbbrückenkonfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs verfügen über einen RDS(ON) von 150 mΩ und Drain-Source-Durchschlagspannung von 650 V. Die integrierte Bootstrap-Diode kann die High-Seite des integrierten Gate-Treibers schnell versorgen.