PD57018-E

STMicroelectronics
511-PD57018-E
PD57018-E

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET HF-Transistoren POWER RF Transistor

ECAD Model:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFET HF-Transistoren
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
760 mOhms
1 GHz
16.5 dB
18 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Marke: STMicroelectronics
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1 S
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Pd - Verlustleistung: 31.7 W
Produkt-Typ: RF MOSFET Transistors
Serie: PD57018-E
Verpackung ab Werk: 400
Unterkategorie: MOSFETs
Typ: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung: + 20 V
Gewicht pro Stück: 3 g
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99