SCTWA90N65G2V-4
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Siehe Produktspezifikationen
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511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4
Herst.:
Beschreibung:
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
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|---|---|---|
| € 25,04 | € 25,04 | |
| € 18,93 | € 189,30 | |
| € 18,12 | € 1 812,00 | |
| € 17,27 | € 10 362,00 |
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