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STB45N50DM2AG

Name: STMicroelectronics STB45N50DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB45N50DM2AG
Price: 6.44 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB45N50DM2AG

Herst.- Nr.:

STB45N50DM2AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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Datenblatt:

STB45N50DM2AG Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 6,44	€ 6,44
	€ 4,39	€ 43,90
	€ 3,33	€ 333,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 3,10	€ 3.100,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	84 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	57 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	9.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9.4 ns
Serie:	STB45N50DM2AG
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	73.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB45N50DM2AG Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low R_DS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.