STD26P3LLH6

STMicroelectronics
511-STD26P3LLH6
STD26P3LLH6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
30 V
12 A
30 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
26 nC
- 55 C
+ 175 C
40 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 21 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns
Serie: STD26P3LLH6
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs

STMicorelectronics STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™-Leistungs-MOSFET, der eine Trench-Technologie für einen hohen Wirkungsgrad und niedrigen RDS(on) verwendet, die in verschiedenen Automotive- und Industrie-Schaltapplikationen, wie z. B. Motorsteuerung, USV, DC/DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solarapplikationen erforderlich sind. Sie bieten eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Stoßentladungsfestigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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STMicroelectronics STripFET VI Power MOSFETs