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STF16N60M6

Name: STMicroelectronics STF16N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF16N60M6
Price: 2.86 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF16N60M6

Herst.- Nr.:

STF16N60M6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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Datenblatt:

STF16N60M6 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	320 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.6 ns
Serie:	Mdmesh M6
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

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PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M6-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFETs kombinieren eine niedrige Gate-Ladung (Q_g) mit einem optimierten Kapazitätsprofil, um einen hohen Wirkungsgrad auf neuen Topologien in Leistungsumwandlungsapplikationen zu ermöglichen. Die Super-Junction MDmesh™ M6-Baureihe bietet ein Betriebsverhalten mit hohem Wirkungsgrad, wodurch eine erhöhte Leistungsdichte und eine niedrige Gate-Ladung für den Betrieb bei hohen Frequenzen erzielt wird. Die MOSFETs der M6-Baureihe verfügen über eine Durchschlagspannung von 600 bis 700 V und sind in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen erhältlich. Dazu gehören eine TO-Leadless-(TO-LL)-Gehäuselösung, die ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Die Bauteile umfassen eine große Auswahl von Betriebsspannungen für Industrieapplikationen, einschließlich Ladegeräte, Adapter, Silver-Box-Module, LED-Beleuchtung, Telekommunikation, Server und Solarapplikationen.