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STF6N65K3

Name: STMicroelectronics STF6N65K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF6N65K3
Price: 0.97 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF6N65K3

Herst.- Nr.:

STF6N65K3

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

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Datenblatt:

STF6N65K3 Datenblatt (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5.4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	35 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	30 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperMESH
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	22 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	STF6N65K3
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STF6N65K3 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.