STGW40M120DF3

STMicroelectronics
511-STGW40M120DF3
STGW40M120DF3

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
80 A
468 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 40 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 38 g
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Ausgewählte Attribute: 0

                        
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5-1013-36

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.