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STGWA30IH160DF2

Name: STMicroelectronics STGWA30IH160DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30IH160DF2
Price: 4.51 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA30IH160DF2

Herst.- Nr.:

STGWA30IH160DF2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT

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Datenblatt:

STGWA30IH160DF2 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.6 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.77 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	85 A
Pd - Verlustleistung:	395 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6,100 g

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Datenblatt

STGWA30IH160DF2 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2

Der IGBT STGWA30IH160DF2 der IH2-Serie mit 1600 V von STMicroelectronics wurde durch die Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt. Die Leistung ist sowohl bei Leitungs- als auch Schaltverlusten für eine weiche Kommutierung optimiert. Eine Freilaufdiode mit niedrigem Durchlass-Spannungsabfall ist enthalten. Der STGWA30IH160DF2 von STMicro ist speziell zur Maximierung des Wirkungsgrads für alle Resonanz- und Soft-Switching-Applikationen ausgelegt. Das Bauteil ist in einem TO-247-Gehäuse mit verlängerten Anschlüssen verfügbar.