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STGWA50H65DFB2

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA50H65DFB2

Herst.- Nr.:

STGWA50H65DFB2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STGWA50H65DFB2 Datenblatt (PDF)

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	€ 1,57	€ 157,00
	€ 1,53	€ 918,00

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	86 A
Pd - Verlustleistung:	272 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

STGWA50H65DFB2 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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